Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Модель: NS08GU4E8
транспорт: Ocean,Land,Air,Express
Вид оплаты: L/C,T/T,D/A
Инкотермс: FOB,CIF,EXW
8 ГБ 2666 МГц 288-контактный DDR4 Udimm
лист регистраций изменений
Revision No. |
History |
Draft Date |
Remark |
1.0 |
Initial Release |
Apr. 2022 |
|
Таблица информации о заказе
Model |
Density |
Speed |
Organization |
Component Composition |
NS08GU4E8 |
8GB |
2666MHz |
1Gx64bit |
DDR4 1Gx8 *8 |
Описание
Hengstar, несоблюримые DMR4 SDRAM DIMM (бессмысленные двойные скорости передачи данных DRAM Двойной встроенной памяти) представляют собой низкую мощность, высокоскоростные модули памяти, в которых используются устройства DDR4 SDRAM. NS08GU4E8-это 1G x 64-битный один ранг 8 ГБ DDR4-2666 CL19 1,2 В SDRAM Недоверный DIMM Product, основанный на восемь компонентов FBGA 1G X x x. SPD запрограммирована на стандартную задержку JEDEC DDR4-2666 Время 19-19-19 при 1,2 В. Каждый 288-контактный DIMM использует золотые контактные пальцы. DIMM SDRAM предназначен для использования в качестве основной памяти при установке в таких системах, как ПК и рабочие станции.
Функции
Поставка силы: VDD = 1,2 В (от 1,14 В до 1,26 В)
VDDQ = 1,2 В (от 1,14 В до 1,26 В)
Vpp - 2,5 В (от 2,375 В до 2,75 В)
VDDSPD = 2,25 В до 3,6 В
Расходое и динамическое завершение для разъезда (ODT) для данных, стробосков и маски
Auto Self Opreesh (LPASR)
Инверсия шины DATA (DBI) для шины данных
On-Die Vrefdq Generation и калибровка
Набор i2c серийный присутствие (SPD) EEPROM
16 Внутренние банки; 4 группы по 4 банка каждый
Перевернутая выбивка (до н.э.) 4 и длины взрыва (BL) 8 через набор режима режима (MRS)
Выберите BC4 или BL8 на лету (OTF)
Датабус записать циклическую проверку избыточности (CRC)
Температурный обновление контролируемого (TCR)
command/Address (CA) паритет
Per DRAM адресоспособность поддерживается
8 бит предварительно изгибается
Topology
Комманда/Задержка адреса (CAL)
Admercemination Control Command и адресная шина
PCB: высота 1.23 ”(31,25 мм)
Contacts Contacts
«Соответствующие и без галогенов
Ключевые параметры времени
MT/s |
tCK |
CAS Latency |
tRCD |
tRP |
tRAS |
tRC |
CL-tRCD-tRP |
DDR4-2666 |
0.75 |
19 |
14.25 |
14.25 |
32 |
46.25 |
19-19-19 |
Адресная таблица
Configuration |
Number of |
Bank Group |
Bank |
Row Address |
Column |
Page size |
8GB(1Rx8) |
4 |
BG0-BG1 |
BA0-BA1 |
A0-A15 |
A0-A9 |
1 KB |
Функциональная блочная диаграмма
Модуль 8 ГБ, 1GX64 (1 -rank of x8)
Абсолютные максимальные значения
Абсолютные максимальные рейтинги постоянного тока
Symbol |
Parameter |
Rating |
Units |
NOTE |
VDD |
Voltage on VDD pin relative to VSS |
-0.3 ~ 1.5 |
V |
1,3 |
VDDQ |
Voltage on VDDQ pin relative to VSS |
-0.3 ~ 1.5 |
V |
1,3 |
VPP |
Voltage on VPP pin relative to VSS |
-0.3 ~ 3.0 |
V |
4 |
VIN, VOUT |
Voltage on any pin except VREFCA relative to VSS |
-0.3 ~ 1.5 |
V |
1,3,5 |
TSTG |
Storage Temperature |
-55 to +100 |
°C |
1,2 |
Диапазон рабочей температуры компонента DRAM
Symbol |
Parameter |
Rating |
Units |
Notes |
TOPER |
Normal Operating Temperature Range |
0 to 85 |
°C |
1,2 |
Extended Temperature Range |
85 to 95 |
°C |
1,3 |
Условия работы AC & DC
Рекомендуемые условия работы DC
Symbol |
Parameter |
Rating |
Unit |
NOTE |
||
Min. |
Typ. |
Max. |
||||
VDD |
Supply Voltage |
1.14 |
1.2 |
1.26 |
V |
1,2,3 |
VDDQ |
Supply Voltage for Output |
1.14 |
1.2 |
1.26 |
V |
|
VPP |
Supply Voltage for DRAM Activating |
2.375 |
2.5 |
2.75 |
V |
3 |
Размеры модуля
Передний план
Вид сзади
Группа Продуктов : Аксессуары для промышленных интеллектуальных модулей
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.